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絕緣材料離子遷移行為與電化學(xué)失效評估系統(tǒng) 發(fā)布時間：2025-11-12

一、離子遷移的物理機(jī)制離子遷移（IonMigration）是電子器件可靠性失效的關(guān)鍵機(jī)理之一，指在電場和濕度協(xié)同作用下：1.金屬離子化：電路中的銅（Cu2?）、銀（Ag?）、錫（Sn2?）等金屬電極發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，生成可移動陽離子2.離子定向遷移：陽離子在直流電場驅(qū)動下，通過絕緣...

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2023
7-10

電輸運(yùn)測試面臨的挑戰(zhàn)及應(yīng)對
電輸運(yùn)測試面臨的挑戰(zhàn)：1.特殊的測試條件。一般條件下，被測樣品被放置在低溫（通常是超導(dǎo)）及磁場環(huán)境中，其低溫zuidi可達(dá)0.1mK,磁場可高達(dá)16T。在jiduan條件下，磁場可達(dá)100T脈沖強(qiáng)磁場，壓力可達(dá)100GPA。PPMS可以提供...
2023
7-7

憶阻器的介紹以及測試方案
憶阻器憶阻器英文名為memristor,用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注...
2023
7-6

憶阻器應(yīng)用領(lǐng)域包括哪些？
憶阻器英文名為memristor,用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要...
2023
7-4

鐵電壓電分析儀儀器配置
鐵電壓電分析儀儀器配置HuaceFE系列鐵電測試系統(tǒng)是目前市場上zuixian進(jìn)的設(shè)備，有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測試電壓范圍并且在世界鐵電測試領(lǐng)域其高測試精度能力shou屈一指。在±500V內(nèi)置電壓下，電滯回線測試頻率可高達(dá)50...
2023
6-30

壓電材料的性能改善
壓電材料的性能改善第yi類是無機(jī)壓電材料，分為壓電晶體和壓電陶瓷，壓電晶體一般是指壓電單晶體；壓電陶瓷則泛指壓電多晶體。壓電陶瓷是指用必要成份的原料進(jìn)行混合、成型、高溫?zé)Y(jié)，由粉粒之間的固相反應(yīng)和燒結(jié)過程而獲得的微細(xì)晶粒無規(guī)則集合而成的多晶...
2023
6-27

熱釋電材料的性能
盡管具有熱釋電效應(yīng)的材料種類很多，但當(dāng)今實用化的材料僅有幾種，如PbTiO3和PZT陶瓷，硫酸三甘肽TGS和LiTiO3單晶等。表4.5-11列出部分熱釋電材料的性能。其中LiTa03，LiNbO3和SBN（Sr0.5Ba0.5Nb2O5)...

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