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  • HCLD-III絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置
    HCLD-III絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

    瀏覽量:1879

    HCDH-200絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置
    HCLD-III電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

    瀏覽量:2391

    HCDH-200電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2025-04-07

    型號(hào):HCLD-III

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    高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器,在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器
    HCLD-III電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器
    HCLD-III電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    電工電子漏電起痕試驗(yàn)儀/測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》,UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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